简介
闪存(NAND flash memory)是相当普及的储存媒介，从小尺寸规格(small form factor)的行动装置乃至大数据中心皆可使用。不过，随着奈米制程的演进，内存单元越做越小，“读取干扰” (Read Disturbance)也逐渐成为影响闪存可靠度的一大因素。读取干扰通常发生在对内存进行大量读取之后。这些读取行为会改变读取区域周遭单元的位状态，造成数据出错。
为什么会发生读取干扰？
每个闪存单元，都有浮动闸(floating gate)和控制闸(control gate)，与字符线(word-line; WL)相连；同时，单元中还有源极(source)以及汲极(drain)，单元的源极与隔壁单元的汲极彼此相邻，连通之后称为位线(bit-line; BL)。如图所示，浮闸位于控制闸下方。浮闸中储存的电荷数目决定了晶体管的阈值电压(threshold voltage)。
要得知是否有电荷困在浮闸中，内存会读取整列字符线。如图所示，若想读取某一列 (以淡绿色表示)，则必须对邻近该列的字符线施加一较高电流(以深绿色表示)。同时，每行位线会选定一个内存单元，好让装置判读其位状态，即储存的是0或是1。对邻近单元施加的高电压，会把电荷吸入浮闸中，同时每一次读取，都稍微提高该单元的阈值电压，使位状态受干扰。长此以往，单元的阈值电压不断累积，最后从 “未编程” 状态(储存一个1)，变成 “已编程” 状态(储存一个0)，这个现象就是读取干扰。位状态一旦变化便不可逆，只有将区块抹除，才能让其回复初始值。
创见的解决方案
透过减少不必要的读取行为，可以改善读取干扰的现象。创见提供以下三种方案，来改善读取干扰的影响。
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平均抹写技术 (Wear leveling algorithm)：这个功能能够均化闪存的使用，让使用范围平均分布于整块内存的可用空间，确保数据能平均地抹写。
- 预防性搬离 (Early move)：此功能可侦测并纠正潜在的数据错误。如果区块中的错误接近上限，数据就会被移动至另一区块，同时原区块将被抹除。(注：仅部分产品支持。)
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重复读取 (Read retry)：此功能可让闪存调整读取时的参考电压 (read reference voltage) ，防止读取错误。