112层3D NAND闪存

第五代BiCS 3D NAND闪存突破96层堆叠的限制,将储存颗粒垂直往上叠加达112层,更高的堆叠数象征着更进阶的储存密度与传输,同时符合成本效益。创见将此技术搭载于三层式储存单元(TLC),为工业用储存设备带来更具竞争力的储存表现。

高储存密度

112层3D NAND闪存透过垂直迭加与横向扩展的方式增加储存密度,每单一晶圆密度提升了50%,单位颗粒容量来到了1Tb,与96层堆叠技术的512Gb相比,提高了近两倍。在符合成本考虑下,高储存密度有效扩展储存容量,提供数据量快速成长的5G、AIoT或数据中心服务器应用可靠的选择。


NAND 类型 112层
3D TLC
96层
3D TLC
64层
3D TLC
位/储存单元 3 3 3
晶圆密度 ★★★★ ★★★ ★★★
效能 ★★
耐用度(P/E cycles) 3K 3K 1K
资料保存可靠度 (Data retention) ★★ ★★
功耗 普通 普通 普通
成本/Gb $ $$ $$$
特色 适合高效能工业应用 适合固态硬盘与大部分工业应用 一般用于消费性市场

*注:写入抹除次数(P/E cycles)会根据flash的类别以及产品制程而有所差别。

速度效能提升

除提高储存密度,BiCS5也具备更快的传输速度。与前一代相比,BiCS5的I/O效能提高了50%,运用在PCIe Gen 4x4固态硬盘可以有突破性的速度增长,低延迟特性有效支持高工作负载工业应用。

进阶技术导入

为加强数据储存可靠度,创见将112层3D NAND闪存与关键技术整合,其中包含宽温、SLC caching、RAID engine和LDPC ECC等,目的为强化储存效能并延长设备使用寿命,让112层3D NAND闪存达到更高的数据储存完整性,提供繁重的工业储存应用更持久耐用的储存设备。

您已经同意cookies的设置,但可以随时撤回您的同意。若您想进一步了解本网站所使用的cookies,请参阅Cookies声明变更设定

您已经拒绝cookie的设置,但可以随时再表示同意。若您想进一步了解本网站所使用的cookies,请参阅Cookies声明变更设定