第五代BiCS 3D NAND闪存突破96层堆叠的限制，将储存颗粒垂直往上叠加达112层，更高的堆叠数象征着更进阶的储存密度与传输，同时符合成本效益。创见将此技术搭载于三层式储存单元(TLC)，为工业用储存设备带来更具竞争力的储存表现。
高储存密度
112层3D NAND闪存透过垂直迭加与横向扩展的方式增加储存密度，每单一晶圆密度提升了50%，单位颗粒容量来到了1Tb，与96层堆叠技术的512Gb相比，提高了近两倍。在符合成本考虑下，高储存密度有效扩展储存容量，提供数据量快速成长的5G、AIoT或数据中心服务器应用可靠的选择。
| NAND 类型 |
112层
3D TLC |
96层
3D TLC |
64层
3D TLC |
| 位／储存单元 |
3 |
3 |
3 |
| 晶圆密度 |
★★★★ |
★★★ |
★★★ |
| 效能 |
★★ |
★ |
★ |
| 耐用度(P/E cycles) |
3K |
3K |
1K |
| 资料保存可靠度 (Data retention) |
★★ |
★★ |
★ |
| 功耗 |
普通 |
普通 |
普通 |
| 成本/Gb |
$ |
$$ |
$$$ |
| 特色 |
适合高效能工业应用 |
适合固态硬盘与大部分工业应用 |
一般用于消费性市场 |
*注：写入抹除次数(P/E cycles)会根据flash的类别以及产品制程而有所差别。
速度效能提升
除提高储存密度，BiCS5也具备更快的传输速度。与前一代相比，BiCS5的I/O效能提高了50%，运用在PCIe Gen 4x4固态硬盘可以有突破性的速度增长，低延迟特性有效支持高工作负载工业应用。
进阶技术导入
为加强数据储存可靠度，创见将112层3D NAND闪存与关键技术整合，其中包含宽温、SLC caching、RAID engine和LDPC ECC等，目的为强化储存效能并延长设备使用寿命，让112层3D NAND闪存达到更高的数据储存完整性，提供繁重的工业储存应用更持久耐用的储存设备。