第五代BiCS 3D NAND闪存突破96层堆叠的限制,将储存颗粒垂直往上叠加达112层,更高的堆叠数象征着更进阶的储存密度与传输,同时符合成本效益。创见将此技术搭载于三层式储存单元(TLC),为工业用储存设备带来更具竞争力的储存表现。
高储存密度
112层3D NAND闪存透过垂直迭加与横向扩展的方式增加储存密度,每单一晶圆密度提升了50%,单位颗粒容量来到了1Tb,与96层堆叠技术的512Gb相比,提高了近两倍。在符合成本考虑下,高储存密度有效扩展储存容量,提供数据量快速成长的5G、AIoT或数据中心服务器应用可靠的选择。
NAND 类型 |
112层 3D TLC |
96层 3D TLC |
64层 3D TLC |
位/储存单元 |
3 |
3 |
3 |
晶圆密度 |
★★★★ |
★★★ |
★★★ |
效能 |
★★ |
★ |
★ |
耐用度(P/E cycles) |
3K |
3K |
1K |
资料保存可靠度 (Data retention) |
★★ |
★★ |
★ |
功耗 |
普通 |
普通 |
普通 |
成本/Gb |
$ |
$$ |
$$$ |
特色 |
适合高效能工业应用 |
适合固态硬盘与大部分工业应用 |
一般用于消费性市场 |
*注:写入抹除次数(P/E cycles)会根据flash的类别以及产品制程而有所差别。
速度效能提升
除提高储存密度,BiCS5也具备更快的传输速度。与前一代相比,BiCS5的I/O效能提高了50%,运用在PCIe Gen 4x4固态硬盘可以有突破性的速度增长,低延迟特性有效支持高工作负载工业应用。
进阶技术导入
为加强数据储存可靠度,创见将112层3D NAND闪存与关键技术整合,其中包含宽温、SLC caching、RAID engine和LDPC ECC等,目的为强化储存效能并延长设备使用寿命,让112层3D NAND闪存达到更高的数据储存完整性,提供繁重的工业储存应用更持久耐用的储存设备。