闪存如何保存数据?
目前市场上常见的闪存(NAND flash)技术，可达到一个内存储存单元(cell)中存放1位(bit)、2位、或3位的数据。它们分别被称为单层式储存(SLC)，多层式储存(MLC)，以及三层式储存(TLC)。三者之中，SLC内存有最佳的效能表现、最优异的耐久度与可靠度。然而，相较于MLC和TLC，SLC flash的制造成本和售价也最为高昂。
一般认为，SLC有最大的容错率，这是因为相较于MLC储存单元可存放2个位的数据─00，01，10或是11，SLC的每个储存单元仅用来存放1个位─ 0 或是 1。当一个位只分配给一个储存单元时，里面存放的数据当然就比较不易出错。不过，鱼与熊掌难兼得，要使用SLC NAND来存放与其他技术(如MLC)同等量的数据，就需要非常多的储存单元，每位/储存单元(bit/cell)的高平均成本，造就了SLC在市场上令企业望而却步的价格。
耐用度判定
闪存的寿命取于内存可执行的总写入/抹除次数(P/E cycles)，对于所有闪存装置来说，这个数值都是有限的，因为随着使用次数增加，内存的氧化层(oxide layers)会耗损，久而久之无法再保存正确数量的电荷，导致数据变得不可靠。平均而言，SLC通常可保证50,000到1,000,000次的写入/抹除次数、MLC可达到3,000次、TLC则约达1,000次。*
*注：写入抹除次数(P/E cycles)会根据flash的类别以及产品制程而有所差别。
从2D平面堆栈到3D堆栈
随着制程演进，晶圆尺寸逐渐微细化，传统2D平面堆栈的闪存也达到了密度上限。故而内存厂商开始将视线转向3D立体堆栈，寻求突破瓶颈。堆栈密度增加亦会产生一些问题，如数据保存时间变短、硬盘可靠度和整体性能不如以往等。所幸，随着科技发展，硬盘的管理技术也越来越先进，透过变更韧体写法，奈米制程演进带来的问题已可获得解决，让新世代闪存装置能够发挥其高容量、高性能的优势，同时维持平易近人的价格。
举例来说，创见最新推出的3D NAND固态硬盘，除了采用高质量闪存颗粒打造，更内建创见多项进阶技术，提供卓越的性能及绝佳可靠度。SLC快取技术和RAID engine，不仅可提高随机读写的效率，同时延长产品寿命；内建RAID engine数据保护机制，可全面保护数据、提升储存可靠度；LDPC (Low Density Parity Check) ECC除错机制可侦测并修正错误。这些功能让内存效能更健全，满足AIoT应用的需求。
走在前沿的96层3D NAND
创见近来导入业界最新3D NAND技术，可将每储存单元3位的3D闪存，垂直堆栈高达96层。此一密度突破相较于前一代64层堆栈而言，不仅大幅提升储存效益，同时在耐用度方面也保持高水平。创见出厂产品皆经过耐用度测试，其采用96层3D闪存之固态硬盘与记忆卡钧可达到3K次抹写的耐用度，与MLC同级。
兼顾成本效益与可靠性
运用3D堆栈闪存的产品，除了具备高成本效益，同时性能与可靠度俱佳。创见的96层3D NAND产品兼顾高速传输、高耐用、高稳定度特性，让SSD发挥不亚于平面堆栈MLC的数据保存能力，同时又避免了后者高成本的缺点。这些固态硬盘结合高抹写次数、优异性能和耐用度，十分适合工业和企业级应用。