DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM

TS512MSH64V4H-I

  • 4GB
  • 宽温型

具备宽温(-40°~95ºC)特性，符合JEDEC的U-DIMM及SO-DIMM内存模块，适合工业机台于严苛的操作环境使用。

产品技术

30µ” PCB 金手指

宽温技术

抗硫化技术

规格

内存模块

RAM种类
DDR4
DIMM种类
Unbuffered SO-DIMM
速度
2400
时序
CL17
容量
4GB
Rank
1Rx8
DRAM
(512Mx8)x8
电压
1.2V
Pin
260 pin
电路板高度
1.18 吋
PCB金手指镀金厚度
30 µ”
抗硫化技术
Default

操作环境

工作温度
  • 标准
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • 宽温
    -40°C (-40°F) ~ 95°C (203°F)
备注
  • 工作温度为颗粒表面温度 (Tc, Case Temperature)

保修

保修
  • 终身有限保修
保修政策
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  • 由于工业应用的多元性及复杂性，创见无法保证本产品完全兼容于所有平台与使用情境。如有特殊需求及操作环境，建议您购买前先与我们联系。

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