DDR3-1600 Unbuffered Long-DIMM

TS512MLK64W6N

  • 4GB
  • 低电压

具备低电压(1.35V)特性，符合JEDEC的U-DIMM及SO-DIMM内存模块，相较于标准DDR3内存的1.5伏特，耗电更低仅1.35伏特，可有效为企业达到节能减碳的目标。

规格

内存模块

RAM种类
DDR3
DIMM种类
Unbuffered Long-DIMM
速度
1600
时序
CL11
容量
4GB
Rank
2Rx8
DRAM
(256Mx8)x16
电压
1.35V
Pin
240 pin
电路板高度
1.18 吋

操作环境

工作温度
  • 标准
    0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
  • 宽温
    °C (°F) ~ °C (°F)

保修

保修
  • 终身有限保修
保修政策
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