DDR3-1600 Unbuffered Long-DIMM

TS128MLK64W6U-I

  • 1GB
  • 低电压兼宽温

同时具备低电压(1.35V)与宽温(-40°~85ºC)特性，符合JEDEC的U-DIMM及SO-DIMM内存模块，宽温特性适合工业机台于严苛的操作环境使用。此外，相较于标准DDR3内存的1.5伏特，耗电更低仅1.35伏特，可有效为企业达到节能减碳的目标。

产品技术

抗硫化技术

规格

内存模块

RAM种类
DDR3
DIMM种类
Unbuffered Long-DIMM
速度
1600
时序
CL11
容量
1GB
Rank
1Rx8
DRAM
(128Mx8)x8
电压
1.35V
Pin
240 pin
电路板高度
1.18 吋

操作环境

工作温度
  • 标准
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • 宽温
    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)

保修

保修
  • 终身有限保修
保修政策
  • 更多创见产品保修政策，请点选这里。
  • 由于工业应用的多元性及复杂性，创见无法保证本产品完全兼容于所有平台与使用情境。如有特殊需求及操作环境，建议您购买前先与我们联系。

产品资料表

查看或下载产品资料表及订购信息。

兼容信息

检查创见产品是否与您的操作系统或设备兼容。

您已经同意cookies的设置，但可以随时撤回您的同意。若您想进一步了解本网站所使用的cookies，请参阅Cookies声明。 变更设定

您已经拒绝cookie的设置，但可以随时再表示同意。若您想进一步了解本网站所使用的cookies，请参阅Cookies声明。 变更设定